半導體工藝化學實驗報告
在我們平凡的日常裏,報告的適用範圍越來越廣泛,報告包含標題、正文、結尾等。其實寫報告並沒有想象中那麼難,以下是小編幫大家整理的半導體工藝化學實驗報告,僅供參考,希望能夠幫助到大家。
實驗名稱:硅片的清洗
實驗目的:1.熟悉清洗設備
2.掌握清洗流程以及清洗前預準備
實驗設備:1.半導體兆聲清洗機(SFQ-1006T)
-1;SC-2
實驗背景及原理:
清洗的目的在於清除表面污染雜質,包括有機物和無機物。這些雜質有的以原子狀態或離子狀態,有的以薄膜形式或顆粒形式存在於硅片表面。有機污染包括光刻膠、有機溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來的油脂或纖維。無機污染包括重金屬金、銅、鐵、鉻等,嚴重影響少數載流子壽命和表面電導;鹼金屬如鈉等,引起嚴重漏電;顆粒污染包括硅渣、塵埃、細菌、微生物、有機膠體纖維等,會導致各種缺陷。清除污染的方法有物理清洗和化學清洗兩種。
我們這裏所用的的是化學清洗。清洗對於微米及深亞微米超大規模集成電路的良率有着極大的影響。SC-1及SC-2對於清除顆粒及金屬顆粒有着顯著的.作用。
實驗步驟:
1. 清洗前準備工作:
儀器準備:
①燒杯的清洗、乾燥
②清洗機的預準備:開總閘門、開空氣壓縮機;開旋轉總電源(清洗設備照明自動開啓); 將急停按鈕旋轉拉出,按下旁邊電源鍵;緩慢開啓超純水開關,角度小於45o;根據需要給1#、2#槽加熱,正式試驗前提前一小時加熱,加熱上限爲200o。本次實驗中選用了80℃爲反應溫度。
③SC-1及SC-2的配置:
我們配製體積比例是1:2:5,所以選取溶液體積爲160ml,對SC-1 NH4OH:H2O2:H2O=20:40:100ml,對SC-2 HCl:H2O2:H2O=20:40:100ml。
2. 清洗實際步驟:
① 1#號槽中放入裝入1號液的燒杯,待溫度與槽中一樣後,放入硅片,加熱10min,然後超純水清洗。
② 2#號槽中放入裝入2號液的燒杯,待溫度與槽中一樣後,放入硅片,加熱10min,然後超純水清洗。
③ 兆聲清洗10分鐘,去除顆粒
④ 利用相似相溶原理,使用乙醇去除有機物,然後超純水清洗並吹乾。
實驗結果:
利用顯微鏡觀察清洗前後硅片圖像表面
清洗前硅片照片
清洗後的硅片照片
實驗總結:
清洗過後明顯地發現硅片表面不像原來那樣油膩,小顆粒明顯減少。說明我們此次使用實驗方法是正確的,實驗結果較爲成功。
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