《模擬電子技術》模擬試題四
一.填充題(每空1分,共20分)
1.按擊穿的機理區分,PN結的擊穿分爲 擊穿和 擊穿。
2.電路如附圖4.1所示,當V=5V時測得ID=2mA;若V增大到10V,ID的值;若V不變,而環境
溫度降低時,ID的值。
3.由晶體管共射極輸出特性可見,在放大區iB不變時,iC隨uCE的增大而略增加,原因是uCE增大時基區有效寬
度 ,這稱爲 效應。
4.使直接耦合放大電路產生零點漂移的原因主要是 和元件的 。
5.若增大固定偏置共射極放大電路中晶體管的IBQ,該放大電路大減小。
6.共集電極放大電路中的輸出電壓頂部被削平時,電路產生的是 失真;乙類功放電路的主要缺點是輸出有 失真。
7.負反饋放大電路的fHf (1 AF)fH,適用於反饋環內只有一的電路;負反饋改善放大電路的性能是
以 爲代價。
8.電容三點式正弦波振盪電路的主要優點是 ,主要缺點是 。
9.爲了抑制零點漂移,集成運放的輸入級一般選用 放大電路,因此由半導體三極管組成輸入級的集成運放,兩個輸入端的外接電阻應 。
10.用集成運放組成的非正弦信號發生器一般由 和 兩個部分組成。
二.分析計算題(共80分)
1.(12分)有兩個相同的基本放大電路,負載開路時的電壓放大倍數Au1 Au2 50、輸入電阻Ri1 Ri2 2kΩ、輸出電阻Ro1 Ro2 10kΩ,現用這兩個基本放大電路組成一個多級放大電路,並用內阻Rs 2kΩ的正弦波信號源驅動,輸出端接10kΩ的負載電阻RL。試求該多級放大電路的`輸入電阻Ri、輸出電阻Ro、電壓放大倍數Au及源電壓放大倍數Aus。
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2.(12分)電路如附圖4.2所示,設T1、T2特性相同,IDSS=4mA、UGS(off)=-4V;調零電位器RW=2kΩ,其滑動端調在中點。試計算:
(1)靜態工作點的值;
(2)Aud、Ro;
(3)若電路改爲從T1的漏極與“地”之間輸出,求這種情況下的差模電壓放大倍數、共模電壓放大倍數、共模抑制比以及輸出電阻。
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3.(12分)電路如附圖4.3所示,已知集成運放的性能理想,T1、T2性能一致,輸入電壓是一個幅度爲1V的正弦波信號。
及每個功放管的功耗PT。(1)說出R2引入什麼類型的反饋;(2)試求輸出功率Po、功放級的電源消耗功率PV、
4.(12分)電路如附圖4.4所示。已知集成運放性能均理想,R1 R2 R、R3 R4 R5。試求:
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(1)Au1(s) Uo1(s)/Ui(s)的表達式;A(s) Uo(s)/Ui(s)的表達式; (2)u
(3)試問運放A1組成什麼電路?整個電路又是什麼電路?
5.(10分)一比較器如附圖4.5所示已知硅穩壓管DZ的穩定電壓UZ=6V,正向導通時的電壓降爲0.6V,UR=12V,集成運放性能理想。
(1)試求輸出高電平UOH、低電平UOL和閾值電壓值;(2)畫出電壓傳輸特性曲線。
2-1u 4u 3uK 1VOII6.(10分)試用一個性能理想的集成運放和的模擬乘法器設計一個運算電路,實現的運
算功能。要求畫出電路,標出各電阻之間的比例關係。
7.(12分)電路如附圖4.6所示,設集成運放性能理想,UI 足夠大。試求:
(1)最大輸出電壓UO(max),並說明在什麼條件下獲得;(2)最小輸出電壓UO(min),並說明在什麼條件下獲得。
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