电力电子技术基础
电力电子技术基础
1、晶体管具有电流放大作用的内部条件是基区很薄、集电结面积大;
2、晶体管放大作用的实质是用一个小电流控制一个大电流;
3、晶体管的击穿电压与温度有关,会发生变化;
4、PNP型与NPN型晶体管都可以看成是反向串联的两个PN结;
5、带阻尼晶体管是将晶体管、阻尼二极管、与保护电阻封装在一起构成的;
6、差分对管是将两只性能参数相同的晶体管封装在一起构成的;
7、达林顿管的放大系数很高,主要用于高增益放大电路等;
8、场效应晶体管可分为结型和绝缘栅型两大类;
9、结型场效应不仅仅依靠沟道中的自由电子导电;
10、场效应晶体管的输出特性曲线可分为四个区域;
1、半导体的导电能力随温度变化而变化;
2、P型半导体又称为空穴半型半导体;
3、PN结的`P区接电源正极、N区接电源负极的接法叫做正偏;
4、PN结的P区接电源正极、N区接电源负极的接法叫做反偏;
5、PN结正向偏值时处于导通状态;
6、PN结反向偏值时处于截止状态;
7、硅二极管的正向电压为0.7V,锗管为0.3V;
8、对于质量良好的二极管,其正向电阻一般为几百欧姆;
9、稳压二极管广泛应用于稳压电源与限幅电路中;
10、变容二极管的反向偏压越大,其结电容越大;
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